Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA (IS43R16320E-6BI-TR)
Part Number: IS43R16320E-6BI-TR
Documents / Media: datasheets IS43R16320E-6BI-TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 512M (32M x 16)
- Скорость: 166MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 700ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 60-TFBGA
- Исполнение корпуса: 60-TFBGA (8x13)
Цена по запросу