Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP (IS42S86400F-6TLI)
Part Number: IS42S86400F-6TLI
Documents / Media: datasheets IS42S86400F-6TLI
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 166MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 5.4ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 54-TSOP II
Цена по запросу