Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ (IS43R86400E-5TLI-TR)
Part Number: IS43R86400E-5TLI-TR
Documents / Media: datasheets IS43R86400E-5TLI-TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 700ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу