Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA (IS43DR16160B-3DBI)
Part Number: IS43DR16160B-3DBI
Documents / Media: datasheets IS43DR16160B-3DBI
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Скорость: 333MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 450ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 84-TFBGA
- Исполнение корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
Цена по запросу