Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II (IS43R83200F-6TL)
Part Number: IS43R83200F-6TL
Documents / Media: datasheets IS43R83200F-6TL
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
- Скорость: 166MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 700ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 66-TSOP II
Цена по запросу