Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP (IS45S16160G-7TLA2-TR)
Part Number: IS45S16160G-7TLA2-TR
Documents / Media: datasheets IS45S16160G-7TLA2-TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Скорость: 143MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 5.4ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 54-TSOP II
Цена по запросу