Integrated Device Technology (IDT)
IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA (70T633S12BFGI)
Part Number: 70T633S12BFGI
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
- Время доступа: 12ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.4 V ~ 2.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 208-LFBGA
- Исполнение корпуса: 208-CABGA (15x15)
Цена по запросу