Integrated Device Technology (IDT)
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA (70V658S12BCI)
Part Number: 70V658S12BCI
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Объем памяти: 2Mb (64K x 36)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
- Время доступа: 12ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3.15 V ~ 3.45 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 256-LBGA
- Исполнение корпуса: 256-CABGA (17x17)
Цена по запросу