Integrated Device Technology (IDT)
IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA (70T653MS10BC8)
Part Number: 70T653MS10BC8
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
- Время доступа: 10ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.4 V ~ 2.6 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 256-LBGA
- Исполнение корпуса: 256-CABGA (17x17)
Цена по запросу