Integrated Device Technology (IDT)
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA (70V3579S5BFI)
Part Number: 70V3579S5BFI
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: SRAM
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Объем памяти: 1.125Mb (32K x 36)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: 5ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 3.15 V ~ 3.45 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 208-LFBGA
- Исполнение корпуса: 208-CABGA (15x15)
Цена по запросу