GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
NOR FLASH (GD25S512MDBIGY)
Part Number: GD25S512MDBIGY
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тип памяти: Flash
- Технология: FLASH - NOR
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 104MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
- Время доступа: -
- Memory Interface: SPI - Quad I/O
- Напряжение питания: 2.7 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу