IC SRAM 4M PARALLEL (CY62147GE18-55BVXIT)

Part Number: CY62147GE18-55BVXIT


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: MoBL®
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: SRAM
  • Технология: SRAM - Asynchronous
  • Объем памяти: 4Mb (256K x 16)
  • Скорость: -
  • Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
  • Время доступа: 55ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.65 V ~ 2.2 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 48-VFBGA
  • Исполнение корпуса: 48-VFBGA (6x8)

Цена по запросу