Alliance Memory, Inc.
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II (AS4C32M16D1A-5TAN)
Part Number: AS4C32M16D1A-5TAN
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 700ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Исполнение корпуса: 66-TSOP II
Цена по запросу