IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA (AS4C512M8D3A-12BAN)

Part Number: AS4C512M8D3A-12BAN

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tray
  • Серия: Automotive, AEC-Q100
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR3
  • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
  • Скорость: 800MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: 20ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.425 V ~ 1.575 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 78-VFBGA
  • Исполнение корпуса: 78-FBGA (10.5x9)

Цена по запросу