IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA (AS4C16M16MSA-6BINTR)

Part Number: AS4C16M16MSA-6BINTR


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - Mobile SDRAM
  • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
  • Скорость: 166MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: -
  • Время доступа: 5.5ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 54-VFBGA
  • Исполнение корпуса: 54-FBGA (8x8)

Цена по запросу