IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA (AS4C4M32S-6BINTR)

Part Number: AS4C4M32S-6BINTR

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM
  • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
  • Скорость: 166MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 2ns
  • Время доступа: 5.4ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 3 V ~ 3.6 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 90-TFBGA
  • Исполнение корпуса: 90-TFBGA (8x13)

433 р.