IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA (AS4C8M16D1-5BINTR)

Part Number: AS4C8M16D1-5BINTR


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - DDR
  • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
  • Скорость: 200MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: 700ps
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 2.3 V ~ 2.7 V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 60-TFBGA
  • Исполнение корпуса: 60-TFBGA (8x13)

Цена по запросу