Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH S-MINI FET (2SK208-O(TE85L,F))
Part Number: 2SK208-O(TE85L,F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS): -
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): -
- Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
- Current Drain (Id) - Max: -
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8.2pF @ 10V
- Resistance - RDS(On): -
- Мощность: 100mW
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Исполнение корпуса: SC-59
Цена по запросу