INTEGRATED CIRCUIT (MMBFJ201_G)

Part Number: MMBFJ201_G


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS): 40V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): -
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
  • Current Drain (Id) - Max: -
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Resistance - RDS(On): -
  • Мощность: 350mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса: SOT-23-3

Цена по запросу