Central Semiconductor
JFET N-CHAN 35V TO92 (J112)
Part Number: J112
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS): 35V
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): -
- Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
- Current Drain (Id) - Max: -
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
- Resistance - RDS(On): 50 Ohms
- Мощность: 350mW
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Исполнение корпуса: TO-92
1 р.