TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE (STGW8M120DF3)

Part Number: STGW8M120DF3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: M
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 16A
  • Коллекторный ток (Icm): 32A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
  • Мощность: 167W
  • Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
  • Тип входа: Standard
  • Gate Charge: 32nC
  • Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 20ns/126ns
  • Условие испытаний: 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 103ns
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247-3
  • Исполнение корпуса: TO-247-3

199 р.