TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE (STGP15M65DF2)

Part Number: STGP15M65DF2

Documents / Media: datasheets STGP15M65DF2

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 30A
  • Коллекторный ток (Icm): 60A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
  • Мощность: 136W
  • Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
  • Тип входа: Standard
  • Gate Charge: 45nC
  • Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 24ns/93ns
  • Условие испытаний: 400V, 15A, 12 Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 142ns
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220-3
  • Исполнение корпуса: TO-220

Цена по запросу