TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S (STGD4M65DF2)

Part Number: STGD4M65DF2

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: M
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 8A
  • Коллекторный ток (Icm): 16A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
  • Мощность: 68W
  • Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
  • Тип входа: Standard
  • Gate Charge: 15.2nC
  • Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 12ns/86ns
  • Условие испытаний: 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 133ns
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса: DPAK

Цена по запросу