STMicroelectronics
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK (STGB40H65FB)
Part Number: STGB40H65FB
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HB
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 80A
- Коллекторный ток (Icm): 160A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
- Мощность: 283W
- Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 210nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 40ns/142ns
- Условие испытаний: 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Исполнение корпуса: D2PAK
2 р.