ROHM Semiconductor
IGBT 650V 8A 62W TO-252 (RGT8BM65DTL)
Part Number: RGT8BM65DTL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 8A
- Коллекторный ток (Icm): 12A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
- Мощность: 62W
- Switching Energy: -
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 13.5nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 17ns/69ns
- Условие испытаний: 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 40ns
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Исполнение корпуса: TO-252
Цена по запросу