ROHM Semiconductor
650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT (RGTVX6TS65GC11)
Part Number: RGTVX6TS65GC11
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 144A
- Коллекторный ток (Icm): 320A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
- Мощность: 404W
- Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 171nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 45ns/201ns
- Условие испытаний: 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247-3
- Исполнение корпуса: TO-247N
Цена по запросу