ROHM Semiconductor
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT (RGW00TK65DGVC11)
Part Number: RGW00TK65DGVC11
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 45A
- Коллекторный ток (Icm): 200A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
- Мощность: 89W
- Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 141nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 52ns/180ns
- Условие испытаний: 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 95ns
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-3PFM, SC-93-3
- Исполнение корпуса: TO-3PFM
Цена по запросу