ROHM Semiconductor
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT (RGW60TS65GC11)
Part Number: RGW60TS65GC11
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 60A
- Коллекторный ток (Icm): 120A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
- Мощность: 178W
- Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 84nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 37ns/114ns
- Условие испытаний: 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247-3
- Исполнение корпуса: TO-247N
Цена по запросу