Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP (RJH65T04BDPMA0#T2F)
Part Number: RJH65T04BDPMA0#T2F
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 60A
- Коллекторный ток (Icm): -
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
- Мощность: 65W
- Switching Energy: 360µJ (on), 350µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 74nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 35ns/115ns
- Условие испытаний: 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 80ns
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: SC-94
- Исполнение корпуса: TO-3PFP
Цена по запросу