INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO (APT70GR65B2SCD30)

Part Number: APT70GR65B2SCD30

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: *
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип IGBT: NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 134A
  • Коллекторный ток (Icm): 260A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
  • Мощность: 595W
  • Switching Energy: -
  • Тип входа: -
  • Gate Charge: 305nC
  • Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 19ns/170ns
  • Условие испытаний: 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr): -
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247-3
  • Исполнение корпуса: T-MAX™ [B2]

Цена по запросу