IGBT CHIP WAFER

IGBT CHIP WAFER (IRG7CH44K10EF)

Part Number: IRG7CH44K10EF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: -
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 25A
  • Коллекторный ток (Icm): -
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
  • Мощность: -
  • Switching Energy: -
  • Тип входа: Standard
  • Gate Charge: 160nC
  • Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 60ns/230ns
  • Условие испытаний: 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr): -
  • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: Die
  • Исполнение корпуса: Die

Цена по запросу