POWER MODULE - IGBT

POWER MODULE - IGBT (APTGTQ200A65T3G)

Part Number: APTGTQ200A65T3G

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: -
  • Конфигурация: Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 200A
  • Мощность: 483W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max): 200µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: Yes
  • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: SP3F

Цена по запросу