Microsemi
POWER MODULE - IGBT (APTGTQ100H65T3G)
Part Number: APTGTQ100H65T3G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Full Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100A
- Мощность: 250W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
- Обратный ток коллектора (Max): 100µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: Yes
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: SP3F
Цена по запросу