POWER MODULE - IGBT (APTGTQ100A65T1G)

Part Number: APTGTQ100A65T1G


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: -
  • Конфигурация: Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100A
  • Мощность: 250W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max): 100µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: Yes
  • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: SP1

Цена по запросу