Microsemi
POWER MODULE - IGBT (APTGLQ50H65T3G)
Part Number: APTGLQ50H65T3G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Конфигурация: Full Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 70A
- Мощность: 175W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
- Обратный ток коллектора (Max): 50µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: Yes
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: SP3F
Цена по запросу