Microsemi
POWER MODULE - IGBT (APTGLQ200H65G)
Part Number: APTGLQ200H65G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Конфигурация: Full Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 270A
- Мощность: 680W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
- Обратный ток коллектора (Max): 75µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: SP6
Цена по запросу