Microsemi
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 (APTGT200A120G)
Part Number: APTGT200A120G
Documents / Media: datasheets APTGT200A120G
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Конфигурация: Half Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 280A
- Мощность: 890W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
- Обратный ток коллектора (Max): 350µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SP6
- Исполнение корпуса: SP6
Цена по запросу