Microsemi
IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 (APTGF165A60D1G)
Part Number: APTGF165A60D1G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип IGBT: NPT
- Конфигурация: Half Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 600V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 230A
- Мощность: 781W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
- Обратный ток коллектора (Max): 250µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: D1
- Исполнение корпуса: D1
Цена по запросу