Microsemi
IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 (APTGF50DH60T1G)
Part Number: APTGF50DH60T1G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип IGBT: NPT
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 600V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 65A
- Мощность: 250W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
- Обратный ток коллектора (Max): 250µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: Yes
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SP1
- Исполнение корпуса: SP1
Цена по запросу