IGBT 600V 100A 329W SOT227 (APT50GP60J)

Part Number: APT50GP60J


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Серия: POWER MOS 7®
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: PT
  • Конфигурация: Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 600V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100A
  • Мощность: 329W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
  • Обратный ток коллектора (Max): 500µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса: ISOTOP®

Цена по запросу