Microsemi
IGBT 1200V 84A 417W SOT227 (APT50GR120JD30)
Part Number: APT50GR120JD30
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: NPT
- Конфигурация: Single
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 84A
- Мощность: 417W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
- Обратный ток коллектора (Max): 1.1mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 5.55nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SOT-227-4
- Исполнение корпуса: SOT-227
Цена по запросу