Microsemi
IGBT 1200V 55A 205W D1 (APTGT35DA120D1G)
Part Number: APTGT35DA120D1G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Конфигурация: Single
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 55A
- Мощность: 205W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
- Обратный ток коллектора (Max): 5mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: D1
- Исполнение корпуса: D1
Цена по запросу