Microsemi
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 (APT75GP120JDQ3)
Part Number: APT75GP120JDQ3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: POWER MOS 7®
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: PT
- Конфигурация: Single
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 128A
- Мощность: 543W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
- Обратный ток коллектора (Max): 1.25mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: ISOTOP
- Исполнение корпуса: ISOTOP®
Цена по запросу