IR (Infineon Technologies)
MODULE IGBT 1700V (BSM100GB170DN2HOSA1)
Part Number: BSM100GB170DN2HOSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Half Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1700V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 145A
- Мощность: 1000W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A
- Обратный ток коллектора (Max): 1mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу