IGBT MODULE VCES 1200V 200A

IGBT MODULE VCES 1200V 200A (FF200R17KE4HOSA1)

Part Number: FF200R17KE4HOSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: Trench Field Stop
  • Конфигурация: 2 Independent
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1700V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 310A
  • Мощность: 1250W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max): 1mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

Цена по запросу