IR (Infineon Technologies)
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 (BSM50GD120DN2G)
Part Number: BSM50GD120DN2G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Full Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 78A
- Мощность: 400W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
- Обратный ток коллектора (Max): -
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу