IR (Infineon Technologies)
IGBT 2 MED POWER 62MM-1 (BSM100GB120DN2HOSA1)
Part Number: BSM100GB120DN2HOSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Half Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 150A
- Мощность: 800W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
- Обратный ток коллектора (Max): 2mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу