IGBT 2 MED POWER 62MM-1 (BSM100GB120DN2HOSA1)

Part Number: BSM100GB120DN2HOSA1


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип IGBT: -
  • Конфигурация: Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 150A
  • Мощность: 800W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max): 2mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Рабочая температура: 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

Цена по запросу