IR (Infineon Technologies)
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 (BSM75GD120DN2BOSA1)
Part Number: BSM75GD120DN2BOSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 103A
- Мощность: 520W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
- Обратный ток коллектора (Max): 1.5mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу