IR (Infineon Technologies)
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 (BSM50GD170DLBOSA1)
Part Number: BSM50GD170DLBOSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Full Bridge
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1700V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100A
- Мощность: 480W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 50A
- Обратный ток коллектора (Max): 100µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: No
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу