SILICON IGBT MODULES

SILICON IGBT MODULES (GSID200A170S3B1)

Part Number: GSID200A170S3B1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Серия: Amp+™
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: -
  • Конфигурация: 2 Independent
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 400A
  • Мощность: 1630W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max): 1mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: D-3 Module
  • Исполнение корпуса: D3

Цена по запросу